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先进封装驱动下的片上互连技术发展态势研究

随着登纳德缩放定律的失效以及“摩尔定律”的减缓,芯片性能的提升越来越依赖于多核架构。片上互连技术已经成为决定处理器性能的关键因素。片上网络技术和先进封装技术为处理器核心数量的规模化增长提供了必要的前提条件。然而,受先进封装技术的驱动,片上互连的拓扑结构正经历从

研究 技术 封装 tsv noc 2025-09-19 21:30  2

晶方科技:9月5日召开业绩说明会,投资者参与

问:你好,作为公司股东留意到公司业务方面扩展进度比较慢,导致公司营收和利润增速没有像同类公司那样高,想一下关于visic公司的氮化镓业务是否达到了国产化的条件?海外马来西亚的生产进度如何,未来是什么定位规划?对于国内的ai芯片封装贵公司是否有技术储备?大股东和

业绩 tsv 投资者 说明会 业绩说明会 2025-09-11 22:02  2

芯粒测试技术综述

随着半导体工艺的发展,芯片工艺提升愈发困难,摩尔定律日趋放缓,而芯粒集成技术促进了多芯片封装的发展,有效地延续了摩尔定律。以 2.5D、3D 集成为主的芯粒异构集成芯片的测试方法与传统 2D 芯片测试有所不同,带来一些新的测试挑战。从当前芯粒测试的挑战分析入手

技术 ieee tsv jtag 邦定 2025-09-04 21:23  3

基于硅帽键合技术的SAW圆片级封装工艺研究

研究了一种基于硅帽键合技术的声表面波(SAW)滤波器圆片级封装工艺,以满足高频通信系统对封装气密性、机械强度及散热性能的严苛要求。通过优化TSV孔的深硅刻蚀工艺和LT层刻蚀工艺,结合低温PECVD沉积的SiO2钝化层,实现了高气密性、高散热性及高可靠性的封装结

封装 tsv 工艺 lt 封装工艺 2025-08-29 21:30  6

半导体芯片,仍然低估的10家企业

全球半导体产业正经历AI驱动的技术范式变革与地缘政治重构的供应链本土化双重浪潮。中国半导体企业在"国产替代"战略下,依托政策支持(如税收优惠、专项基金)和技术突破(如光刻机、EDA工具),在设备、材料、设计等环节加速追赶。以下10家企业凭借技术壁垒、细分市场垄

企业 tsv 封测 半导体芯片 高边开关 2025-08-25 16:08  4

堆叠芯片EDA,中国黑马蓄势待发!

在全球半导体产业进入“后摩尔时代”的今天,芯片性能的提升正面临前所未有的挑战。传统的制程微缩已逼近物理极限,5nm以下工艺的研发成本飙升至数十亿美元,而单颗大尺寸芯片的面积扩展又遭遇光罩极限与良率暴跌的双重制约。与此同时,AI、HPC、智能驾驶等新兴应用对算力

芯片 eda 内存带宽 tsv dft 2025-08-12 09:38  9

芯片,怎么连?(上)

从广义上讲,互连有两个层次。在一个宏大的规模上,我们有连接各大洲并为有访问权限的人带来互联网的网络。这种互连依赖于路由器和交换机等系统,而这些系统又依赖于半导体。这些芯片也有它们自己的内部互连,包括通过极细的铜线实现的片上互连,以及通过引线框架或基板或中介层实

芯片 总线 tsv noc 介电材料 2025-08-11 09:42  8

TSV,可以做多小?

随着计算机处理器体积越来越小、性能越来越强,半导体工程师们正面临芯片运行速度的物理极限。一种策略是将芯片进行三维堆叠,并使用被称为硅通孔 (TSV) 的微型导线作为垂直连接器。普渡大学的研究人员正专注于研究 TSV——它们在保持足够坚固可靠的情况下,可以做到多

普渡大学 cu tsv 晶粒 拉曼光谱 2025-06-01 09:34  11

芯片制造中的化学镀技术研究进展

芯片制造中大量使用物理气相沉积、化学气相沉积、电镀、热压键合等技术来实现芯片导电互连. 与这些技术相比, 化学镀因具有均镀保形能力强、工艺条件温和、设备成本低、操作简单等优点, 被人们期望应用于芯片制造中, 从而在近年来得到大量的研究. 本综述首先简介了芯片制

芯片 tsv 化学镀 化学镀技术 化学镀镍 2025-05-29 21:30  12

晶方科技:晶圆级TSV封装技术具有显著微型化、高集成度、低功耗、高经济性特点优势

有投资者在互动平台向晶方科技提问:公司在车载CIS(CMOS图像传感器)封装领域的技术优势显著,尤其是TSV(硅通孔)和WLCSP(晶圆级芯片尺寸封装)技术。能否具体说明这些技术在汽车芯片封装中的核心突破点?例如在ADAS(高级驾驶辅助系统)或自动驾驶领域的应

晶圆 封装 tsv 低功耗 封装技术 2025-05-27 16:12  14